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Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 驱动程序和接口> IRS21271SPBF
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IRS21271SPBF

产品描述Gate Drivers 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小804KB，共21页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
相似器件已查找到11个与IRS21271SPBF功能相似器件
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IRS21271SPBF概述

Gate Drivers 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR

IRS21271SPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
高边驱动器YES
接口集成电路类型BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.9 mm
湿度敏感等级2
功能数量1
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
标称输出峰值电流0.6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源15 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最大供电电压20 V
最小供电电压10 V
标称供电电压15 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
断开时间0.2 µs
接通时间0.2 µs
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

IRS21271SPBF相似产品对比

IRS21271SPBF IRS2128SPBF IRS2127SPBF IRS21271PBF IRS2127PBF IRS21281PBF IRS2128PBF IRS2128STRPBF
描述 Gate Drivers 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR Gate Drivers 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR Gate Drivers 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR Gate Drivers Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V Gate Drivers Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V Gate Drivers Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V Gate Drivers Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V Gate Drivers Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
高边驱动器 YES YES YES YES YES YES YES YES
接口集成电路类型 BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8
长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm 9.88 mm 9.88 mm 9.88 mm 9.88 mm 4.9 mm
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
标称输出峰值电流 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A 0.6 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP SOP SOP DIP DIP DIP DIP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 SOP8,.25 SOP8,.25 DIP8,.3 DIP8,.3 DIP8,.3 DIP8,.3 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED 260 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 250 NOT SPECIFIED 260
电源 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 1.75 mm 1.75 mm 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm 5.33 mm 1.75 mm
最大供电电压 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V 20 V
最小供电电压 10 V 10 V 10 V 10 V 10 V 10 V 10 V 10 V
标称供电电压 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V 15 V
表面贴装 YES YES YES NO NO NO NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED 30
断开时间 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs
接通时间 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs
宽度 3.9 mm 3.9 mm 3.9 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 3.9 mm
JESD-609代码 e3 e3 e3 - - e3 - e3
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier - - Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 -

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与IRS21271SPBF功能相似器件

器件名 厂商 描述
IRS21271STRPBF Infineon(英飞凌) Buffer/Inverter Based MOSFET Driver, 0.6A, CMOS, PDSO8, SOIC-8
IRS2127STRPBF Infineon(英飞凌) Gate Drivers Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V
IRS2127SPBF Infineon(英飞凌) Gate Drivers 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR
IRS2127PBF Infineon(英飞凌) Gate Drivers Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V
IRS21271PBF Infineon(英飞凌) Gate Drivers Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V
IRS21281STRPBF Infineon(英飞凌) Gate Drivers Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V
IRS2128PBF Infineon(英飞凌) Gate Drivers Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V
IRS21281SPBF Infineon(英飞凌) Gate Drivers 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR
IRS2128SPBF Infineon(英飞凌) Gate Drivers 600V CURRENT SENSING 1 CH DRVR
IRS2128STRPBF Infineon(英飞凌) Gate Drivers Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V
IRS21281PBF Infineon(英飞凌) Gate Drivers Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V
器件捷径:   00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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