DMP1022UFDF-7,DMP1022UFDF-7 pdf中文资料,DMP1022UFDF-7引脚图,DMP1022UFDF-7电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> DMP1022UFDF-7

DMP1022UFDF-7: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, U-DFN2020-6, 6 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小422KB，共6页; 制造商Diodes Incorporated; 标准

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DMP1022UFDF-7概述

Small Signal Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, U-DFN2020-6, 6 PIN

DMP1022UFDF-7规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
Objectid	1422579500
包装说明	U-DFN2020-6, 6 PIN
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	67 weeks
Samacsys Description	Diodes Inc DMP1022UFDF-7 P-channel MOSFET Transistor, 11 A, 12 V, 6-Pin UDFN
Samacsys Manufacturer	Diodes Inc.
Samacsys Modified On	2022-12-28 17:46:27
YTEOL	7.18
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	12 V
最大漏极电流 (ID)	9.5 A
最大漏源导通电阻	0.026 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-PDSO-N6
JESD-609代码	e4
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	P-CHANNEL
参考标准	AEC-Q101
表面贴装	YES
端子面层	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

DMP1022UFDF-7相似产品对比

	DMP1022UFDF-7	DMP1022UFDF-13
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, U-DFN2020-6, 6 PIN	Small Signal Field-Effect Transistor, 9.5A I(D), 12V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, U-DFN2020-6, 6 PIN
是否Rohs认证	符合	符合
Objectid	1422579500	1422579499
包装说明	U-DFN2020-6, 6 PIN	U-DFN2020-6, 6 PIN
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
Factory Lead Time	67 weeks	66 weeks
Samacsys Manufacturer	Diodes Inc.	Diodes Inc.
Samacsys Modified On	2022-12-28 17:46:27	2022-12-28 17:46:27
YTEOL	7.18	7.18
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	12 V	12 V
最大漏极电流 (ID)	9.5 A	9.5 A
最大漏源导通电阻	0.026 Ω	0.026 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	S-PDSO-N6	S-PDSO-N6
JESD-609代码	e4	e4
湿度敏感等级	1	1
元件数量	1	1
端子数量	6	6
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最低工作温度	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE	SQUARE
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
参考标准	AEC-Q101	AEC-Q101
表面贴装	YES	YES
端子面层	NICKEL PALLADIUM GOLD	NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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