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MMPQ3904R1

产品描述Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小42KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MMPQ3904R1概述

Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN

MMPQ3904R1规格参数

参数名称属性值
Brand NameON Semiconductor
是否无铅含铅
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SOIC
包装说明CASE 751B-05, SOIC-16
针数16
制造商包装代码751B-05
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)75
JESD-30 代码R-PDSO-G16
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量4
端子数量16
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)235
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
Base Number Matches1

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ON Semiconductort
Quad Amplifier/Switch
Transistor
NPN Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector–Emitter Voltage
Collector–Base Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Symbol
VCEO
VCB
VEB
IC
Each
Transistor
Total Power Dissipation
@ TA = 25°C
Derate above 25°C
Total Power Dissipation
@ TC = 25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage
Junction Temperature Range
PD
0.4
3.2
PD
0.66
5.3
TJ, Tstg
1.92
15.4
–55 to +150
800
6.4
mW
mW/°C
Watts
mW/°C
°C
Value
40
60
6.0
200
Four
Transistors
Equal Power
Unit
Vdc
Vdc
MMPQ3904
ON Semiconductor Preferred Device
16
1
Vdc
mAdc
CASE 751B–05, STYLE 4
SO–16
1
2
3
4
5
6
7
16
15
14
13
12
11
10
9
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
8
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Breakdown Voltage(1)
(IC = 1.0 mAdc, IB = 0)
Collector–Base Breakdown Voltage
(IC = 10
mAdc,
IE = 0)
Emitter–Base Breakdown Voltage
(IE = 10
mAdc,
IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCB = 40 Vdc, IE = 0)
Emitter Cutoff Current
(VEB = 4.0 Vdc, IC = 0)
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
40
60
6.0
50
50
Vdc
Vdc
Vdc
nAdc
nAdc
1. Pulse Test: Pulse Width
v
300
ms;
Duty Cycle
v
2.0%.
Preferred
devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
1
March, 2001 – Rev. 2
Publication Order Number:
MMPQ3904/D

MMPQ3904R1相似产品对比

MMPQ3904R1 MMPQ3904R2
描述 Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN Bipolar Transistors - BJT 200mA 60V NPN
Brand Name ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 含铅 含铅
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 SOIC SOIC
包装说明 CASE 751B-05, SOIC-16 CASE 751B-05, SOIC-16
针数 16 16
制造商包装代码 751B-05 751B-05
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V
配置 SEPARATE, 4 ELEMENTS SEPARATE, 4 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 75 75
JESD-30 代码 R-PDSO-G16 R-PDSO-G16
JESD-609代码 e0 e0
湿度敏感等级 1 1
元件数量 4 4
端子数量 16 16
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 235 235
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn80Pb20) Tin/Lead (Sn80Pb20)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz
Base Number Matches 1 1
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