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STPSC1006D

产品描述Schottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Silicon Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小91KB,共8页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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STPSC1006D概述

Schottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Silicon Diode

STPSC1006D规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TO-220AC
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time14 weeks
Samacsys DescriptionNULL
应用POWER
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON CARBIDE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流32 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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STPSC1006
600 V power Schottky silicon carbide diode
Features
No or negligible reverse recovery
Switching behavior independent of
temperature
Particularly suitable in PFC boost diode
function
K
A
Description
The SiC diode is an ultrahigh performance power
Schottky diode. It is manufactured using a silicon
carbide substrate. The wide band gap material
allows the design of a Schottky diode structure
with a 600 V rating. Due to the Schottky
construction no recovery is shown at turn-off and
ringing patterns are negligible. The minimal
capacitive turn-off behavior is independent of
temperature.
ST SiC diodes will boost the performance of PFC
operations in hard switching conditions.
Table 1.
TO-220AC
STPSC1006D
K
A
NC
D
2
PAK
STPSC1006G
Device summary
I
F(AV)
V
RRM
T
j (max)
Q
C (typ)
10 A
600 V
175 °C
12 nC
November 2010
Doc ID 16287 Rev 3
1/8
www.st.com
8

 
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