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SI4425DY-T1-E3

产品描述MOSFET 30V 11A 2.5W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小77KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI4425DY-T1-E3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SI4425DY-T1-E3概述

MOSFET 30V 11A 2.5W

SI4425DY-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)8 A
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.014 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON

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Si4425DY
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
−30
r
DS(on)
(W)
0.014 @ V
GS
=
−10
V
0.023 @ V
GS
=
−4.5
V
I
D
(A)
−11
−8.5
FEATURES
D
TrenchFETr Power MOSFET
Pb-free
Available
SO-8
S
S
S
G
1
2
3
4
Top View
8
7
6
5
D
D
D
D
G
S
D
Ordering Information: Si4425DY
Si4425DY-T1 (with Tape and Reel)
:
Si4425DY—E3 (Lead (Pb)-Free)
Si4425DY-T1—E3 (Lead (Pb)-Free with Tape and Reel)
P-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150_C)
a
Pulsed Drain Current
continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
T
A
= 25_C
T
A
= 70_C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
10 secs
Steady State
−30
"20
Unit
V
−11
−8.7
−50
−2.7
3.0
1.9
−55
to 150
−8
−6.5
A
−1.36
1.5
0.95
W
_C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum J
M i
Junction-to-Ambient
a
ti t A bi t
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes
a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
Document Number: 71817
S-50402—Rev. F, 07-Mar-05
www.vishay.com
t
v
10 sec
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
33
70
16
Maximum
42
84
21
Unit
_C/W
C/W
1
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