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IXGQ85N33PCD1

产品描述IGBT Transistors 340 Amps 330V
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小139KB,共5页
制造商IXYS
标准
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IXGQ85N33PCD1概述

IGBT Transistors 340 Amps 330V

IXGQ85N33PCD1规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
IXYS
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
RoHSDetails
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
TO-3P-3
安装风格
Mounting Style
Through Hole
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max330 V
Maximum Gate Emitter Voltage+/- 30 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Tube
Continuous Collector Current Ic Max85 A
长度
Length
15.8 mm
宽度
Width
4.9 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
30
单位重量
Unit Weight
0.194007 oz
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