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FMMT3904TC

产品描述Bipolar Transistors - BJT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小45KB,共2页
制造商Diodes Incorporated
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FMMT3904TC概述

Bipolar Transistors - BJT

FMMT3904TC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes Incorporated
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
参考标准CECC
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)250 ns
最大开启时间(吨)70 ns

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SOT23 NPN SILICON PLANAR
SWITCHING TRANSISTORS
ISSUE 2 – SEPTEMBER 94
COMPLIMENTARY TYPES – FMMT3903 - FMMT3905
FMMT3904 - FMMT3906
FMMT3903
FMMT3904
C
B
E
PARTMARKING DETAIL –
FMMT3903 - 1W
FMMT3904 - 1A
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
CollectorEmitter Voltage
EmitterBase Voltage
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
VALUE
60
40
6
200
330
-55 to +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
FMMT3903
PARAMETER
SYMBOL
MIN.
60
40
6
50
50
20
35
50
30
15
40
70
100
60
30
FMMT3904
MAX.
UNIT CONDITIONS.
V
V
V
50
50
I
C
=10µA, I
E
=0
I
C
=1mA, I
B
=0*
I
E
=10µA, I
C
=0
MAX. MIN.
60
40
6
Collector Base
V
(BR)CBO
Breakdown Voltage
CollectorEmitter
V
(BR)CEO
Breakdown Voltage
EmitterBase
V
(BR)EBO
Breakdown Voltage
CollectorEmitter
CutOff Current
Base CutOff
Current
Static Forward
Current Transfer
Ratio
I
CEX
I
BEX
h
FE
nA V
CE
=30V, V
BE(off)
=3V
nA V
CE
=30V, V
EB(off)
=3V
I
C
=0.1mA, V
CE
=1V*
I
C
=1mA, V
CE
=1V*
I
C
=10mA, V
CE
=1V*
I
C
=50mA, V
CE
=1V*
I
C
=100mA, V
CE
=1V*
V
V
V
V
I
C
=10mA, I
B
=1mA*
I
C
=50mA, I
B
=5mA*
I
C
=10mA, I
B
=1mA*
I
C
=50mA, I
B
=5mA*
150
300
CollectorEmitter
V
CE(sat)
Saturation Voltage
BaseEmitter
V
BE(sat)
Saturation Voltage
Transition
Frequency
Output
Capacitance
f
T
C
obo
0.65
250
0.2
0.3
0.85
0.95
0.65
300
4
8
0.2
0.3
0.85
0.95
MHz I
C
=10mA, V
CE
=20V
f=100MHz
4
8
pF
pF
V
CB
=5V, I
E
=0, f=100KHz
V
BE
=0.5V, I
C
=0, f=100KHz
Input Capacitance C
ibo
78

FMMT3904TC相似产品对比

FMMT3904TC FMMT3904TA
描述 Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistors - BJT
厂商名称 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
参考标准 CECC CECC
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz
最大关闭时间(toff) 250 ns 250 ns
最大开启时间(吨) 70 ns 70 ns

 
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