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AS8C803625-QC75N

产品描述SRAM 8M, 3.3V, 7.5ns 256K x 36 Synch SRAM
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文件大小5MB,共22页
制造商Alliance Memory
标准
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AS8C803625-QC75N在线购买

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AS8C803625-QC75N概述

SRAM 8M, 3.3V, 7.5ns 256K x 36 Synch SRAM

AS8C803625-QC75N规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Alliance Memory
零件包装代码QFP
包装说明LQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time8 weeks
最长访问时间7.5 ns
JESD-30 代码R-PQFP-G100
长度20 mm
内存密度9437184 bit
内存集成电路类型ZBT SRAM
内存宽度36
功能数量1
端子数量100
字数262144 words
字数代码256000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX36
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LQFP
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.465 V
最小供电电压 (Vsup)3.135 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm

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256K X 36, 512K X 18
3.3V Synchronous SRAMs
3.3V I/O, Burst Counter
Flow-Through Outputs, Single Cycle Deselect
AS8C803625
AS8C801825
Features
256K x 36, 512K x 18 memory
configuration
Supports fast access times:
-
7.5ns up to 117MHz clock frequency
LBO input selects interleaved or linear
burst mode
Self-timed write cycle with global write
control (GW), byte write enable (BWE),
and byte writes (BWx)
3.3V core power supply
Power down controlled by ZZ input
3.3V I/O supply (V
DDQ
)
Packaged in a JEDEC Standard 100-pin
thin plastic quad flatpack (TQFP)
Description
The 803625/801825 are high-speed SRAMs organized
as 256K x 36/512K x 18. The 803625/801825 SRAMs
contain write, data, address and control registers.
There are no registers in the data output path (flow-
through architecture). Internal logic allows the SRAM
to generate a self-timed write based upon a decision
which can be left until the end of the write cycle.
The burst mode feature offers the highest level of
performance to the system designer, as the
803625/801825 can provide four cycles of data for a
single address presented to the SRAM. An internal
burst address counter accepts the first cycle address
from the processor, initiating the access sequence. The
first cycle of output data will flow-through from the
array after a clock-to-data access time delay from the
rising clock edge of the same cycle. If burst mode
operation is selected (ADV=LOW), the subsequent
three cycles of output data will be available to the user
on the next three rising clock edges. The orders of
these three addresses are defined by the internal burst
counter and the LBO input pin.
The 803625/801825 SRAMs utilize Alliance’s latest
high-performance CMOS process and are packaged in a
JEDEC standard 14mm x 20mm 100-pin thin plastic
quad flatpack (TQFP).
Pin Description Summary
A
0
– A
18
CE
CS
0
, CS
1
OE
GW
BWE
BW
1
, BW
2
, BW
3
, BW
4
(1)
CLK
ADV
ADSC
ADSP
LBO
ZZ
I/O
0
– I/O
31
, I/O
P1
– I/O
P4
V
DD
, V
DDQ
V
SS
Address Inputs
Chip Enable
Chip Selects
Output Enable
Global Write Enable
Byte Write Enable
Individual Byte Write Selects
Clock
Burst Address Advance
Address Status (Cache Controller)
Address Status (Processor)
Linear / Interleaved Burst Order
Sleep Mode
Data Input / Output
Core Power, I/O Power
Ground
Input
Input
Input
Input
Input
Input
Input
Input
Input
Input
Input
Input
Input
I/O
Supply
Supply
Synchronous
Synchronous
Synchronous
Asynchronous
Synchronous
Synchronous
Synchronous
N/A
Synchronous
Synchronous
Synchronous
DC
Asynchronous
Synchronous
N/A
N/A
5309 tbl 01
NOTE:
1. BW
3
and BW
4
are not applicable for 803625/801825.
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