8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Winbond(华邦电子) |
零件包装代码 | TSOP2 |
包装说明 | TSOP2, TSSOP66,.46 |
针数 | 66 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.75 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 143 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 2,4,8 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 |
JESD-609代码 | e3 |
内存密度 | 268435456 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 66 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 32MX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 |
封装等效代码 | TSSOP66,.46 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
电源 | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
连续突发长度 | 2,4,8 |
最大待机电流 | 0.008 A |
最大压摆率 | 0.27 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 10.16 mm |
W942508CH-7 | W942508CH-5 | W942508CH | W942508CH-6 | W942508CH-75 | |
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描述 | 8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM | 8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM | 8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM | 8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM | 8M x 4 BANKS x 8 BIT DDR SDRAM |
厂商名称 | Winbond(华邦电子) | Winbond(华邦电子) | - | Winbond(华邦电子) | Winbond(华邦电子) |
零件包装代码 | TSOP2 | TSOP2 | - | TSOP2 | TSOP2 |
包装说明 | TSOP2, TSSOP66,.46 | TSOP2, TSSOP66,.46 | - | TSOP2, TSSOP66,.46 | TSOP2, TSSOP66,.46 |
针数 | 66 | 66 | - | 66 | 66 |
Reach Compliance Code | compli | compli | - | compli | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST | - | FOUR BANK PAGE BURST | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.75 ns | 0.7 ns | - | 0.7 ns | 0.75 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 143 MHz | 200 MHz | - | 166 MHz | 133 MHz |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | - | COMMON | COMMON |
交错的突发长度 | 2,4,8 | 2,4,8 | - | 2,4,8 | 2,4,8 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G66 | R-PDSO-G66 | - | R-PDSO-G66 | R-PDSO-G66 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | - | e3 | e3 |
内存密度 | 268435456 bi | 268435456 bi | - | 268435456 bi | 268435456 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | - | DDR DRAM | DDR DRAM |
内存宽度 | 8 | 8 | - | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 |
端子数量 | 66 | 66 | - | 66 | 66 |
字数 | 33554432 words | 33554432 words | - | 33554432 words | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 | 32000000 | - | 32000000 | 32000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C |
组织 | 32MX8 | 32MX8 | - | 32MX8 | 32MX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP2 | TSOP2 | - | TSOP2 | TSOP2 |
封装等效代码 | TSSOP66,.46 | TSSOP66,.46 | - | TSSOP66,.46 | TSSOP66,.46 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
电源 | 2.5 V | 2.5 V | - | 2.5 V | 2.5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 | 8192 | - | 8192 | 8192 |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | - | 1.2 mm | 1.2 mm |
自我刷新 | YES | YES | - | YES | YES |
连续突发长度 | 2,4,8 | 2,4,8 | - | 2,4,8 | 2,4,8 |
最大待机电流 | 0.008 A | 0.008 A | - | 0.008 A | 0.008 A |
最大压摆率 | 0.27 mA | 0.27 mA | - | 0.27 mA | 0.27 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | - | 2.7 V | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.3 V | 2.3 V | - | 2.3 V | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | - | 2.5 V | 2.5 V |
表面贴装 | YES | YES | - | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | MATTE TIN | MATTE TIN | - | MATTE TIN | MATTE TIN |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | - | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm | 0.65 mm | - | 0.65 mm | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL | DUAL |
宽度 | 10.16 mm | 10.16 mm | - | 10.16 mm | 10.16 mm |
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