IGBT Modules 550 Amps 1200V
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | IXYS |
| 零件包装代码 | MODULE |
| 包装说明 | MODULE-7 |
| 针数 | 7 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 其他特性 | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 670 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X5 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 5 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2750 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 690 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 160 ns |
| VCEsat-Max | 2.8 V |
| MDI550-12A4 | MID550-12A4 | |
|---|---|---|
| 描述 | IGBT Modules 550 Amps 1200V | IGBT Modules 550 Amps 1200V |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 零件包装代码 | MODULE | MODULE |
| 包装说明 | MODULE-7 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5 |
| 针数 | 7 | 7 |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown |
| 其他特性 | UL RECOGNIZED | UL RECOGNIZED |
| 外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC) | 670 A | 670 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 1200 V | 1200 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V | 20 V |
| JESD-30 代码 | R-XUFM-X5 | R-XUFM-X5 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 5 | 5 |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 2750 W | 2750 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 690 ns | 690 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 160 ns | 160 ns |
| VCEsat-Max | 2.8 V | 2.8 V |
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