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SIHH21N60EF-T1-GE3

产品描述MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小183KB,共9页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SIHH21N60EF-T1-GE3概述

MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH21N60EF-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Vishay(威世)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
PowerPAK-8x8-4
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage600 V
Id - Continuous Drain Current20 A
Rds On - Drain-Source Resistance153 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage4 V
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
Qg - Gate Charge55 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
104 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
高度
Height
1 mm
长度
Length
8 mm
宽度
Width
8 mm
Fall Time45 ns
Rise Time32 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
Typical Turn-Off Delay Time68 ns
Typical Turn-On Delay Time20 ns
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