MOSFET AUTOMOTIVE
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
零件包装代码 | TO-262AA |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
雪崩能效等级(Eas) | 800 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V |
最大漏极电流 (ID) | 31 A |
最大漏源导通电阻 | 0.105 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-262AA |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 93 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
IPI60R099CPAAKSA1 | IPI60R099CPA | |
---|---|---|
描述 | MOSFET AUTOMOTIVE | MOSFET N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CPA |
是否无铅 | 含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
零件包装代码 | TO-262AA | TO-262AA |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数 | 3 | 3 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
雪崩能效等级(Eas) | 800 mJ | 800 mJ |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V |
最大漏极电流 (ID) | 31 A | 31 A |
最大漏源导通电阻 | 0.105 Ω | 0.105 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-262AA | TO-262AA |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSIP-T3 |
JESD-609代码 | e3 | e3 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 93 A | 93 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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