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IPI60R099CPAAKSA1

产品描述MOSFET AUTOMOTIVE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小327KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IPI60R099CPAAKSA1概述

MOSFET AUTOMOTIVE

IPI60R099CPAAKSA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-262AA
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
雪崩能效等级(Eas)800 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)31 A
最大漏源导通电阻0.105 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-262AA
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)93 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IPI60R099CPAAKSA1相似产品对比

IPI60R099CPAAKSA1 IPI60R099CPA
描述 MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET N-Ch 600V 31A I2PAK-3 CoolMOS CPA
是否无铅 含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 TO-262AA TO-262AA
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-T3 IN-LINE, R-PSIP-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
雪崩能效等级(Eas) 800 mJ 800 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 600 V 600 V
最大漏极电流 (ID) 31 A 31 A
最大漏源导通电阻 0.105 Ω 0.105 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-262AA TO-262AA
JESD-30 代码 R-PSIP-T3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e3 e3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 93 A 93 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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