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RN2112FS(TPL3)

产品描述Bipolar Transistors - Pre-Biased -50mA -20volts 3Pin 22Kohms
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小95KB,共5页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
标准
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RN2112FS(TPL3)概述

Bipolar Transistors - Pre-Biased -50mA -20volts 3Pin 22Kohms

RN2112FS(TPL3)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Toshiba(东芝)
Reach Compliance Codeunknown
Base Number Matches1

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RN2112FS,RN2113FS
TOSHIBA Transistor
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor)
RN2112FS, RN2113FS
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and
Driver Circuit Applications
Unit: mm
0.15±0.05
0.6±0.05
0.35±0.05
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values
C
1
3
2
0.8±0.05
1.0±0.05
0.1±0.05
B
R1
0.48
-0.04
+0.02
0.1±0.05
1.BASE
E
fSM
2.EMITTER
3.COLLECOTR
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
stg
Rating
−20
−20
−5
−50
50
150
−55~150
Unit
V
V
V
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-1E1A
Weight: 0.0006 g (typ.)
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report
and estimated failure rate, etc).
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristics
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Collector output capacitance
Input resistor
RN2112FS
RN2113FS
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE (sat)
C
ob
R1
Test Condition
V
CB
= −20
V, I
E
=
0
V
EB
= −5
V, I
C
=
0
V
CE
= −5
V, I
C
= −1
mA
I
C
= −5
mA, I
B
= −0.25
mA
V
CB
= −10
V, I
E
=
0, f
=
1 MHz
Min
300
17.6
37.6
1.2
22
47
Typ.
Max
−100
−100
−0.15
26.4
56.4
V
pF
Unit
nA
nA
1
2007-11-01
0.2±0.05
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.
Reducing the parts count enables the manufacture of ever more
compact equipment and lowers assembly cost.
Complementary to RN1112FS, RN1113FS

RN2112FS(TPL3)相似产品对比

RN2112FS(TPL3) RN2113FS(TPL3)
描述 Bipolar Transistors - Pre-Biased -50mA -20volts 3Pin 22Kohms Bipolar Transistors - Pre-Biased -50mA -20volts 3Pin 47Kohms
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code unknown unknown
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