电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

IRF3707ZCSTRRP

产品描述MOSFET MOSFT 30V 59A 9.5mOhm 9.7nC
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小350KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IRF3707ZCSTRRP在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
IRF3707ZCSTRRP - - 点击查看 点击购买

IRF3707ZCSTRRP概述

MOSFET MOSFT 30V 59A 9.5mOhm 9.7nC

IRF3707ZCSTRRP规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-263-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Id - Continuous Drain Current59 A
Rds On - Drain-Source Resistance12.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge9.7 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
57 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
高度
Height
4.4 mm
长度
Length
10 mm
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
9.25 mm
Fall Time3.6 ns
Rise Time41 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
800
Typical Turn-Off Delay Time12 ns
Typical Turn-On Delay Time9.8 ns
单位重量
Unit Weight
0.139332 oz

IRF3707ZCSTRRP相似产品对比

IRF3707ZCSTRRP IRF3707ZCLPBF IRF3707ZCSPBF
描述 MOSFET MOSFT 30V 59A 9.5mOhm 9.7nC MOSFET MOSFT 30V 59A 9.5mOhm 9.7nC MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 9.7nC
Product Attribute Attribute Value Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET MOSFET
RoHS Details Details Details
技术
Technology
Si Si Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT Through Hole SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TO-263-3 TO-262-3 TO-263-3
Number of Channels 1 Channel 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V 30 V 30 V
Id - Continuous Drain Current 59 A 59 A 59 A
Rds On - Drain-Source Resistance 12.5 mOhms 12.5 mOhms 12.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V 20 V 20 V
Qg - Gate Charge 9.7 nC 9.7 nC 9.7 nC
Configuration Single Single Single
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
57 W 57 W 57 W
高度
Height
4.4 mm 9.45 mm 4.4 mm
长度
Length
10 mm 10.2 mm 10 mm
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel 1 N-Channel
宽度
Width
9.25 mm 4.5 mm 9.25 mm
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
800 50 50
单位重量
Unit Weight
0.139332 oz 0.084199 oz 0.139332 oz
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - - 55 C
Channel Mode Enhancement - Enhancement
系列
Packaging
Reel Tube Tube
Fall Time 3.6 ns - 3.6 ns
Rise Time 41 ns - 41 ns
Typical Turn-Off Delay Time 12 ns - 12 ns
Typical Turn-On Delay Time 9.8 ns - 9.8 ns

推荐资源

热门文章更多

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 185  373  1102  1112  1117 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved