Operational Amplifiers - Op Amps Dual Wide Bandwidth
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 16 weeks |
| Samacsys Description | Operational Amplifier |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.5 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.4 µA |
| 标称共模抑制比 | 90 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 6000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 9.8 mm |
| 低-失调 | NO |
| 负供电电压上限 | -22 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.8 mm |
| 最小摆率 | 1.5 V/us |
| 标称压摆率 | 2.2 V/us |
| 最大压摆率 | 6 mA |
| 供电电压上限 | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 5500 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 |
| 宽度 | 7.62 mm |
| MC4558CN | MC4558IN | MC4558IDT | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Operational Amplifiers - Op Amps Dual Wide Bandwidth | Operational Amplifiers - Op Amps Dual Bipolar Oper Amps Wide bandwidth | Operational Amplifiers - Op Amps Dual Wide Bandwidth |
| Brand Name | STMicroelectronics | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | DIP | DIP | SOIC |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 | SOP, SOP8,.25 |
| 针数 | 8 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.5 µA | 0.5 µA | 0.5 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.4 µA | 0.4 µA | 0.4 µA |
| 标称共模抑制比 | 90 dB | 90 dB | 90 dB |
| 频率补偿 | YES | YES | YES |
| 最大输入失调电压 | 6000 µV | 6000 µV | 6000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T8 | R-PDIP-T8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e4 |
| 长度 | 9.8 mm | 9.8 mm | 4.9 mm |
| 低-失调 | NO | NO | NO |
| 负供电电压上限 | -22 V | -22 V | -22 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 2 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 105 °C | 105 °C |
| 最低工作温度 | - | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | DIP | SOP |
| 封装等效代码 | DIP8,.3 | DIP8,.3 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 260 |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 4.8 mm | 4.8 mm | 1.75 mm |
| 标称压摆率 | 2.2 V/us | 2.2 V/us | 2.2 V/us |
| 最大压摆率 | 6 mA | 6 mA | 6 mA |
| 供电电压上限 | 22 V | 22 V | 22 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO | YES |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed | Matte Tin (Sn) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | 30 |
| 标称均一增益带宽 | 5500 kHz | 5500 kHz | 5500 kHz |
| 最小电压增益 | 25000 | 25000 | 25000 |
| 宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 3.9 mm |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | - | ST(意法半导体) |
| Factory Lead Time | 16 weeks | - | 10 weeks |
| Samacsys Description | Operational Amplifier | - | Operational Amplifiers - Op Amps Dual Wide Bandwidth |
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