MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | TO-252AA |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 26 weeks |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 57 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 4.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.85 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 16.8 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin (Sn) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
| SPD04P10PLGBTMA1 | SPD04P10PLG | |
|---|---|---|
| 描述 | MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH | 漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4.2A(Tc) 栅源极阈值电压：2V @ 380uA 漏源导通电阻：850mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：38W(Tc) 类型：P沟道 |
| 是否无铅 | 含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | TO-252AA | TO-252AA |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数 | 4 | 4 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 57 mJ | 57 mJ |
| 外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 100 V | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID) | 4.2 A | 4.2 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.85 Ω | 0.85 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-252AA | TO-252AA |
| JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 2 | 2 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 175 °C | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 16.8 A | 16.8 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
