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CY7C1061G18-15BV1XI

产品描述SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC
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文件大小163KB,共2页
制造商Cypress(赛普拉斯)
标准
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CY7C1061G18-15BV1XI概述

SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC

CY7C1061G18-15BV1XI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Factory Lead Time1 week
最长访问时间15 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B48
长度8 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量48
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织1MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码VFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
座面最大高度1 mm
最大供电电压 (Vsup)2.2 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.75 mm
端子位置BOTTOM
宽度6 mm

CY7C1061G18-15BV1XI相似产品对比

CY7C1061G18-15BV1XI CY7C1061G30-10BVXI CY62167G18-55BVXI
描述 SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC SRAM 16Mb Fast SRAM With ECC SRAM 16Mb MoBL SRAM With ECC
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 Cypress(赛普拉斯) - Cypress(赛普拉斯)
Reach Compliance Code compliant - compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A - 3A991.B.2.A
最长访问时间 15 ns - 55 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B48 - R-PBGA-B48
长度 8 mm - 8 mm
内存密度 16777216 bit - 16777216 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM - STANDARD SRAM
内存宽度 16 - 16
功能数量 1 - 1
端子数量 48 - 48
字数 1048576 words - 1048576 words
字数代码 1000000 - 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C - 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C
组织 1MX16 - 1MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 VFBGA - VFBGA
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH - GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL - PARALLEL
座面最大高度 1 mm - 1 mm
最大供电电压 (Vsup) 2.2 V - 2.2 V
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V - 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V - 1.8 V
表面贴装 YES - YES
技术 CMOS - CMOS
温度等级 INDUSTRIAL - INDUSTRIAL
端子形式 BALL - BALL
端子节距 0.75 mm - 0.75 mm
端子位置 BOTTOM - BOTTOM
宽度 6 mm - 6 mm

 
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