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70V631S10BCG8

产品描述SRAM 256Kx18 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM
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文件大小219KB,共24页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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70V631S10BCG8在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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70V631S10BCG8概述

SRAM 256Kx18 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM

70V631S10BCG8规格参数

参数名称属性值
Brand NameIntegrated Device Technology
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码CABGA
包装说明LBGA, BGA256,16X16,40
针数256
制造商包装代码BCG256
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
Samacsys DescriptionCHIP ARRAY BGA 17.0 X 1.7.0 MM X 1.0 MM
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PBGA-B256
JESD-609代码e1
长度17 mm
内存密度4718592 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度18
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量256
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX18
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA256,16X16,40
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5/3.3,3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.5 mm
最大待机电流0.015 A
最小待机电流3.15 V
最大压摆率0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)3.45 V
最小供电电压 (Vsup)3.15 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度17 mm
Base Number Matches1

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LEAD FINISH (SnPb) ARE IN EOL PROCESS - LAST TIME BUY EXPIRES JUNE 15, 2018
HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18
ASYNCHRONOUS DUAL-PORT
STATIC RAM
IDT70V631S
Features
Functional Block Diagram
UB
L
LB
L
True Dual-Port memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed access
– Commercial: 10/12/15ns (max.)
– Industrial: 12ns (max.)
Dual chip enables allow for depth expansion without
external logic
IDT70V631 easily expands data bus width to 36 bits or
more using the Master/Slave select when cascading more
than one device
M/S = V
IH
for
BUSY
output flag on Master,
M/S = V
IL
for
BUSY
input on Slave
Busy and Interrupt Flags
On-chip port arbitration logic
Full on-chip hardware support of semaphore signaling
between ports
Fully asynchronous operation from either port
Separate byte controls for multiplexed bus and bus
matching compatibility
Supports JTAG features compliant to IEEE 1149.1
– Due to limited pin count, JTAG is not supported on the
128-pin TQFP package.
LVTTL-compatible, single 3.3V (±150mV) power supply for
core
LVTTL-compatible, selectable 3.3V (±150mV)/2.5V (±100mV)
power supply for I/Os and control signals on each port
Available in a 128-pin Thin Quad Flatpack, 208-ball fine
pitch Ball Grid Array, and 256-ball Ball Grid Array
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
UB
R
LB
R
R/
W
L
B
E
0
L
B
E
1
L
B
E
1
R
B
E
0
R
R/
W
R
CE
0L
CE
1L
CE
0R
CE
1R
OE
L
Dout0-8_L
Dout9-17_L
Dout0-8_R
Dout9-17_R
OE
R
256K x 18
MEMORY
ARRAY
I/O
0L
- I/O
17L
Din_L
Din_R
I/O
0R
- I/O
17R
A
17L
A
0L
Address
Decoder
ADDR_L
ADDR_R
Address
Decoder
A
17R
A
0R
OE
L
CE
0L
CE
1L
R/W
L
BUSY
L
SEM
L
INT
L
ARBITRATION
INTERRUPT
SEMAPHORE
LOGIC
OE
R
CE
0R
CE
1R
R/W
R
BUSY
R
M/S
SEM
R
INT
R
TDI
TDO
JTAG
TMS
TCK
TRST
5622 drw 01
NOTES:
1.
BUSY
is an input as a Slave (M/S=V
IL
) and an output when it is a Master (M/S=V
IH
).
2.
BUSY
and
INT
are non-tri-state totem-pole outputs (push-pull).
DECEMBER 2017
DSC-5622/8
1
©2017 Integrated Device Technology, Inc.
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