Datasheet> 器件分类 > 存储> IS62WV51216BLL-55BLI-TR

IS62WV51216BLL-55BLI-TR: 产品描述SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM; 产品类别存储; 文件大小155KB，共16页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/; 标准

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IS62WV51216BLL-55BLI-TR概述

SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM

IS62WV51216BLL-55BLI-TR规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	SRAM
RoHS	Details
Memory Size	8 Mbit
Organization	512 k x 16
Access Time	55 ns
接口类型 Interface Type	Parallel
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.6 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.5 V
Supply Current - Max	5 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TFBGA-48
系列 Packaging	Reel
数据速率 Data Rate	SDR
类型 Type	Asynchronous
Number of Ports	1
Moisture Sensitive	Yes
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2500

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IS62WV51216ALL

IS62WV51216BLL

512K x 16 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

DECEMBER 2007

FEATURES

• High-speed access time: 45ns, 55ns

• CMOS low power operation

– 36 mW (typical) operating

– 12 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply

– 1.65V--2.2V V

(62WV51216ALL)

– 2.5V--3.6V V

(62WV51216BLL)

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• Lead-free available

DESCRIPTION

The

ISSI

IS62WV51216ALL/ IS62WV51216BLL are high-

speed, 8M bit static RAMs organized as 512K words by 16

bits. It is fabricated using

ISSI

's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with innovative

circuit design techniques, yields high-performance and low

power consumption devices.

When

CS1

is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected) or when

CS1

is LOW, CS2 is HIGH and both

and

are HIGH, the device assumes a standby mode at

which the power dissipation can be reduced down with CMOS

input levels.

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE)

controls both writing and reading of the memory. A data

byte allows Upper Byte

(UB)

and Lower Byte (LB) access.

The IS62WV51216ALL and IS62WV51216BLL are packaged

in the JEDEC standard 48-pin mini BGA (7.2mm x 8.7mm)

and 44-Pin TSOP (TYPE II).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A0-A18

DECODER

512K x 16

MEMORY ARRAY

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O8-I/O15

Upper Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

Copyright © 2005 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time without notice. ISSI assumes no liability

arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to obtain the latest version of this device specification before relying on any

published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com —

1-800-379-4774

Rev. D

12/13/2007

IS62WV51216BLL-55BLI-TR相似产品对比

	IS62WV51216BLL-55BLI-TR	IS62WV51216ALL-70TI	IS62WV51216BLL-55BLI	IS62WV51216BLL-55TLI-TR
描述	SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM	SRAM 8Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 16,70ns,1.65v~2.2v,44 Pin TSOP II	SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM	SRAM 8Mb 512Kx16 55ns Async SRAM
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM
Memory Size	8 Mbit	8 Mbit	8 Mbit	8 Mbit
Access Time	55 ns	70 ns	55 ns	55 ns
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	3.6 V	2.2 V	3.6 V	3.6 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	2.5 V	1.65 V	2.5 V	2.5 V
Supply Current - Max	5 mA	4 mA	25 uA	25 uA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C	- 40 C	- 40 C	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	TFBGA-48	TSOP-44	BGA-48	TSOP-44
数据速率 Data Rate	SDR	SDR	SDR	SDR
类型 Type	Asynchronous	Asynchronous	Asynchronous	Asynchronous
Number of Ports	1	1	1	1
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2500	135	312	1000
RoHS	Details	-	Details	Details
Organization	512 k x 16	-	512 k x 16	512 k x 16
接口类型 Interface Type	Parallel	-	Parallel	Parallel
系列 Packaging	Reel	-	Tray	Reel
Moisture Sensitive	Yes	-	Yes	Yes

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器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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