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BC857A-7-F

产品描述Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小289KB,共7页
制造商Diodes Incorporated
标准
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BC857A-7-F概述

Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR

BC857A-7-F规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Diodes Incorporated
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time19 weeks
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压45 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)125
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz
Base Number Matches1

BC857A-7-F相似产品对比

BC857A-7-F BC857C-7-F BC858C-7-F
描述 Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTOR PNP SOT-23 Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
Factory Lead Time 19 weeks 19 weeks 19 weeks
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A 0.1 A
集电极-发射极最大电压 45 V 45 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 125 420 420
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
极性/信道类型 PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.3 W 0.3 W 0.3 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz 200 MHz
Base Number Matches 1 1 1

 
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