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ISL6608IRZ-T

产品描述Gate Drivers VER OF ISL6608IR-T -40 TO +100
产品类别模拟混合信号IC    驱动程序和接口   
文件大小598KB,共11页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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ISL6608IRZ-T概述

Gate Drivers VER OF ISL6608IR-T -40 TO +100

ISL6608IRZ-T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码QFN
包装说明HVQCCN, LCC8,.12SQ,25
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
高边驱动器YES
接口集成电路类型HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码S-PQCC-N8
JESD-609代码e3
长度3 mm
湿度敏感等级2
功能数量1
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
标称输出峰值电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVQCCN
封装等效代码LCC8,.12SQ,25
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1 mm
最大供电电压5.5 V
最小供电电压4.5 V
标称供电电压5 V
表面贴装YES
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式NO LEAD
端子节距0.65 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3 mm

ISL6608IRZ-T相似产品对比

ISL6608IRZ-T ISL6608IBZ-T
描述 Gate Drivers VER OF ISL6608IR-T -40 TO +100 Gate Drivers VER OF ISL6608CB-T W/-40 TO +100 TEMP
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Renesas(瑞萨电子) Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码 QFN SOIC
包装说明 HVQCCN, LCC8,.12SQ,25 SOP, SOP8,.25
针数 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
高边驱动器 YES YES
接口集成电路类型 HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码 S-PQCC-N8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3
长度 3 mm 4.9 mm
湿度敏感等级 2 3
功能数量 1 1
端子数量 8 8
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
标称输出峰值电流 4 A 4 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVQCCN SOP
封装等效代码 LCC8,.12SQ,25 SOP8,.25
封装形状 SQUARE RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
电源 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1 mm 1.75 mm
最大供电电压 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 5 V 5 V
表面贴装 YES YES
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 NO LEAD GULL WING
端子节距 0.65 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
宽度 3 mm 3.9 mm
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