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STM32L162VET6

产品描述ARM Microcontrollers - MCU 16/32-BITS MICROS
产品类别嵌入式处理器和控制器    微控制器和处理器   
文件大小2MB,共130页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STM32L162VET6概述

ARM Microcontrollers - MCU 16/32-BITS MICROS

STM32L162VET6规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明QFP, QFP100,.63SQ,20
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码5A992.C
具有ADCYES
地址总线宽度
位大小32
CPU系列CORTEX-M3
最大时钟频率32 MHz
DMA 通道YES
外部数据总线宽度
JESD-30 代码S-PQFP-G100
长度14 mm
I/O 线路数量83
端子数量100
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
PWM 通道YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP100,.63SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源2/3.3 V
认证状态Not Qualified
RAM(字节)81920
ROM(单词)524288
ROM可编程性FLASH
速度32 MHz
最大压摆率12.3 mA
最大供电电压3.6 V
最小供电电压1.8 V
标称供电电压3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度14 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型MICROCONTROLLER, RISC

文档解析

STM32L162xE微控制器的超低功耗特性主要通过以下几个方面实现:

  1. 超低功耗平台:该微控制器设计有1.65 V至3.6 V的电源供电范围,并能在-40°C至105°C的温度范围内工作。它具有多种超低功耗模式,包括待机模式(Standby mode)和停止模式(Stop mode),在这些模式下,微控制器的功耗极低。

  2. 多种低功耗模式

    • 待机模式(Standby mode):在该模式下,微控制器的功耗极低,具有290 nA的待机电流(使用3个唤醒引脚),并且可以在1.11 µA的电流下加上RTC(实时时钟)。
    • 停止模式(Stop mode):在停止模式下,微控制器的功耗进一步降低,可以达到1.4 µA加上RTC的电流。
    • 低功耗运行模式(Low-power run mode):在该模式下,微控制器可以在低至4.6 µA的电流下运行。
    • 低功耗睡眠模式(Low-power sleep mode):在低功耗睡眠模式下,微控制器的运行电流可降至11 µA。
  3. 动态电压调节:STM32L162xE支持动态电压调节,允许微控制器根据系统的最大运行频率和外部电压供应调整内部低放电压调节器的输出电压,以优化运行模式下的功耗。

  4. 内部时钟管理:微控制器具有多种内部时钟源,包括内部RC振荡器和PLL(相位锁定环),可以根据需要选择不同的时钟源,以降低功耗。

  5. 电源管理:STM32L162xE具备电源管理功能,包括低功耗的POR/PDR(电源上电复位/电源下电复位)和可编程电压检测器(PVD),这些功能有助于在不同的工作条件下优化电源使用。

  6. 内存和外设的电源控制:微控制器的Flash内存和RAM具有ECC(错误校正码),数据EEPROM带有ECC,这些技术有助于减少因错误而造成的额外功耗。

  7. 唤醒能力:微控制器可以从低功耗模式通过多种唤醒源快速唤醒,包括外部中断线、RTC闹钟、USB唤醒等。

  8. 低泄漏I/O:具有10 nA的超低I/O泄漏电流,有助于在微控制器处于非活跃状态时减少功耗。

通过这些特性和功能,STM32L162xE微控制器能够在保持性能的同时实现超低功耗,适合于对功耗有严格要求的应用场景。

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STM32L162xE
Ultra-low-power 32-bit MCU ARM
®
-based Cortex
®
-M3 with 512KB
Flash, 80KB SRAM, 16KB EEPROM, LCD, USB, ADC, DAC, AES
Datasheet
-
production data
Features
Ultra-low-power platform
– 1.65 V to 3.6 V power supply
-40 °C to 105 °C
temperature range
– 290 nA Standby mode (3 wakeup pins)
– 1.11 µA Standby mode + RTC
– 560 nA Stop mode (16 wakeup lines)
– 1.4 µA Stop mode + RTC
– 11 µA Low-power run mode down to 4.6 µA
in Low-power sleep mode
– 195 µA/MHz Run mode
– 10 nA ultra-low I/O leakage
– 8 µs wakeup time
AES 128-bit encryption hardware accelerator
Core: ARM
®
Cortex
®
-M3 32-bit CPU
– From 32 kHz up to 32 MHz max
– 1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)
– Memory protection unit
Up to 34 capacitive sensing channels
CRC calculation unit, 96-bit unique ID
Reset and supply management
– Low-power, ultrasafe BOR (brownout reset)
with 5 selectable thresholds
– Ultra-low-power POR/PDR
– Programmable voltage detector (PVD)
Clock sources
– 1 to 24 MHz crystal oscillator
– 32 kHz oscillator for RTC with calibration
– Internal 16 MHz oscillator factory trimmed
RC(+/-1%) with PLL option
– Internal low-power 37 kHz oscillator
– Internal multispeed low-power 65 kHz to
4.2 MHz oscillator
– PLL for CPU clock and USB (48 MHz)
Pre-programmed bootloader
– USB and USART supported
LQFP144 (20 × 20 mm)
LQFP100 (14 × 14 mm)
LQFP64 (10 × 10 mm)
WLCSP104
(0.4 mm pitch)
Up to 116 fast I/Os (102 I/Os 5V tolerant), all
mappable on 16 external interrupt vectors
Memories
– 512 Kbytes of Flash memory with ECC
(with 2 banks of 256 Kbytes enabling RWW
capability)
– 80 Kbytes of RAM
– 16 Kbytes of true EEPROM with ECC
– 128-byte backup register
LCD driver up to 8x40 segments, contrast
adjustment, blinking mode, step-up converter
Rich analog peripherals (down to 1.8 V)
– 2x operational amplifiers
– 12-bit ADC 1 Msps up to 40 channels
– 12-bit DAC 2 ch with output buffers
– 2x ultra-low-power comparators
(window mode and wake up capability)
DMA controller 12x channels
11x peripheral communication interfaces
– 1x USB 2.0 (internal 48 MHz PLL)
– 5x USARTs
– Up to 8x SPIs (2x I2S, 3x 16 Mbit/s)
– 2x I
2
Cs (SMBus/PMBus)
11x timers: 1x 32-bit, 6x 16-bit with up to 4
IC/OC/PWM channels, 2x 16-bit basic timers,
2x watchdog timers (independent and window)
Development support: serial wire debug, JTAG
and trace
Table 1. Device summary
Reference
STM32L162xE
Part number
STM32L162RE, STM32L162VE,
STM32L162ZE
August 2017
This is information on a product in full production.
DocID025882 Rev 7
1/130
www.st.com

STM32L162VET6相似产品对比

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描述 ARM Microcontrollers - MCU 16/32-BITS MICROS ARM Microcontrollers - MCU 16/32-BITS MICROS ARM Microcontrollers - MCU 16/32-BITS MICROS
Brand Name STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
厂商名称 ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)
包装说明 QFP, QFP100,.63SQ,20 LQFP, QFP64,.47SQ,20 BGA, BGA104,9X12,16
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 5A992.C 5A992.C 5A992.C
具有ADC YES YES YES
位大小 32 32 32
CPU系列 CORTEX-M3 CORTEX-M3 CORTEX-M3
最大时钟频率 32 MHz 32 MHz 32 MHz
DMA 通道 YES YES YES
长度 14 mm 10 mm 5.094 mm
I/O 线路数量 83 51 83
端子数量 100 64 104
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
PWM 通道 YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 QFP LQFP BGA
封装等效代码 QFP100,.63SQ,20 QFP64,.47SQ,20 BGA104,9X12,16
封装形状 SQUARE SQUARE RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK FLATPACK GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 2/3.3 V 2/3.3 V 2/3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
RAM(字节) 81920 81920 81920
ROM(单词) 524288 524288 524288
ROM可编程性 FLASH FLASH FLASH
速度 32 MHz 32 MHz 32 MHz
最大压摆率 12.3 mA 12.3 mA 12.3 mA
最大供电电压 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 1.8 V 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 GULL WING GULL WING BALL
端子节距 0.5 mm 0.5 mm 0.4 mm
端子位置 QUAD QUAD BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 14 mm 10 mm 4.09 mm
uPs/uCs/外围集成电路类型 MICROCONTROLLER, RISC MICROCONTROLLER, RISC MICROCONTROLLER, RISC
JESD-30 代码 S-PQFP-G100 S-PQFP-G64 -
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