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MRF587

产品描述RF Bipolar Transistors RF Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小13KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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MRF587概述

RF Bipolar Transistors RF Transistor

MRF587规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.2 A
基于收集器的最大容量2.2 pF
集电极-发射极最大电压17 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码O-CRPM-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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MRF587
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI MRF587
is Designed for
High Linearity Power Amplifier
Applications up to 500 MHz.
PACKAGE STYLE .280 4L STUD
A
45°
1
B
2
4
3
FEATURES:
P
G
= 16 dB Typical at 220 W/500 MHz
Low Noise Figure
Diffused Ballast Resistors
Omnigold™
Metalization System
DIM
D
E
F
G
C
J
I
H
K
MINIMUM
inches / mm
#8-32 UNC
MAXIMUM
inches / mm
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
200 mA
34 V
17 V
2.5 V
5.0 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +150 °C
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
1.010 / 25.65
.220 / 5.59
.270 / 6.86
.003 / 0.08
.117 / 2.97
.572 / 14.53
.130 / 3.30
.245 / 6.22
.640 / 16.26
.175 / 4.45
.275 / 6.99
1.055 / 26.80
.230 /5.84
.285 / 7.24
.007 / 0.18
.137 / 3.48
.255 / 6.48
.217 / 5.51
.285 / 7.24
Lead 1 = Collector
2 & 3 = Emitter
4 = Base
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
h
FE
C
cb
G
P
η
C
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 1.0 mA
I
C
= 5.0 mA
I
E
= 100 µA
V
CB
= 10 V
V
CE
= 5.0 V
V
CB
= 10 V
I
C
= 50 mA
f = 1.0 MHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
34
17
2.5
50
50
1.7
11
200
2.2
UNITS
V
V
V
µA
---
pF
dB
%
V
CC
= 15 V
I
C
= 90 mA
f = 0.3 GHz
65
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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