Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IPI111N15N3GAKSA1

IPI111N15N3GAKSA1: 产品描述MOSFET N-Ch 150V 83A I2PAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小737KB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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IPI111N15N3GAKSA1概述

MOSFET N-Ch 150V 83A I2PAK-3

IPI111N15N3GAKSA1规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	TO-262AA
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	18 weeks
雪崩能效等级（Eas）	330 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	150 V
最大漏极电流 (ID)	83 A
最大漏源导通电阻	0.0111 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	332 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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IPB108N15N3 G

IPP111N15N3 G

IPI111N15N3 G

OptiMOS

3 Power-Transistor

Features

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x

DS(on)

product (FOM)

• Very low on-resistance

DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant; Halogen free

• Qualified according to JEDEC

for target application

Product Summary

DS(on),max (TO263)

150

10.8

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

•Halogen-free according to IEC61249-2-21

Type

IPB108N15N3 G

IPP111N15N3 G

IPI111N15N3 G

Package

Marking

PG-TO263

108N15N

PG-TO220-3

111N15N

PG-TO262-3

111N15N

Maximum ratings,

=25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Continuous drain current

Symbol Conditions

=25 °C

=100 °C

Pulsed drain current

Avalanche energy, single pulse

Gate source voltage

Power dissipation

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

Value

332

330

±20

Unit

D,pulse

tot

stg

=25 °C

=83 A,

=25

°C

=25 °C

214

-55 ... 175

55/175/56

J-STD20 and JESD22

See figure 3

Rev. 2.2

page 1

2017-02-23

IPI111N15N3GAKSA1相似产品对比

	IPI111N15N3GAKSA1	IPP111N15N3GXKSA1	IPB108N15N3GATMA1	IPI111N15N3 G
描述	MOSFET N-Ch 150V 83A I2PAK-3	MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3	MOSFET MV POWER MOS	MOSFET N-Ch 150V 83A I2PAK-3 OptiMOS 3
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	Single
是否无铅	含铅	不含铅	含铅	-
是否Rohs认证	符合	符合	符合	-
零件包装代码	TO-262AA	TO-220AB	D2PAK	-
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-
针数	3	3	4	-
Reach Compliance Code	not_compliant	compliant	not_compliant	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	-
雪崩能效等级（Eas）	330 mJ	330 mJ	330 mJ	-
最小漏源击穿电压	150 V	150 V	150 V	-
最大漏极电流 (ID)	83 A	83 A	83 A	-
最大漏源导通电阻	0.0111 Ω	0.0111 Ω	0.0108 Ω	-
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
JEDEC-95代码	TO-262AA	TO-220AB	TO-263AB	-
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSFM-T3	R-PSSO-G2	-
JESD-609代码	e3	e3	e3	-
元件数量	1	1	1	-
端子数量	3	3	2	-
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
最高工作温度	175 °C	175 °C	175 °C	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	IN-LINE	FLANGE MOUNT	SMALL OUTLINE	-
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
最大脉冲漏极电流 (IDM)	332 A	332 A	332 A	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
表面贴装	NO	NO	YES	-
端子面层	Tin (Sn)	Tin (Sn)	Tin (Sn)	-
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	-
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	-
Base Number Matches	1	1	1	-

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