EEPROM 512 Kbit serial I2C EEPROM 3 Chip
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) |
包装说明 | SOP, SOP8,.25 |
Reach Compliance Code | compliant |
最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz |
数据保留时间-最小值 | 200 |
耐久性 | 4000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010DDDR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e4 |
长度 | 4.9 mm |
内存密度 | 524288 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 65536 words |
字数代码 | 64000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 64KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | SERIAL |
电源 | 2/5 V |
编程电压 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.000001 A |
最大压摆率 | 0.005 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 3.9 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
写保护 | HARDWARE |
M24512-DRMN6TP | M24512-DRDW6TP | |
---|---|---|
描述 | EEPROM 512 Kbit serial I2C EEPROM 3 Chip | EEPROM 512 Kbit serial I2C EEPROM 3 Chip |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
包装说明 | SOP, SOP8,.25 | TSSOP, TSSOP8,.25 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz | 1 MHz |
数据保留时间-最小值 | 200 | 200 |
耐久性 | 4000000 Write/Erase Cycles | 4000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010DDDR | 1010DDDR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
长度 | 4.9 mm | 4.4 mm |
内存密度 | 524288 bit | 524288 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 |
字数 | 65536 words | 65536 words |
字数代码 | 64000 | 64000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
组织 | 64KX8 | 64KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP | TSSOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 | TSSOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL |
电源 | 2/5 V | 2/5 V |
编程电压 | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm | 1.2 mm |
串行总线类型 | I2C | I2C |
最大待机电流 | 0.000001 A | 0.000001 A |
最大压摆率 | 0.005 mA | 0.005 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
宽度 | 3.9 mm | 3 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms |
写保护 | HARDWARE | HARDWARE |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved