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APT65GP60JDQ2

产品描述IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小458KB,共9页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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APT65GP60JDQ2概述

IGBT Modules Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi

APT65GP60JDQ2规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码ISOTOP
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数4
制造商包装代码ISOTOP
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)130 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压30 V
JESD-30 代码R-PUFM-X4
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)431 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)220 ns
标称接通时间 (ton)85 ns
Base Number Matches1
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