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CMXDM7002A

产品描述MOSFET Dual N-Ch FET 60V 60Vdg 40Vgs 350Pd
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小705KB,共4页
制造商Central Semiconductor
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CMXDM7002A概述

MOSFET Dual N-Ch FET 60V 60Vdg 40Vgs 350Pd

CMXDM7002A规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
针数6
Reach Compliance Codenot_compliant
JESD-609代码e0
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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CMXDM7002A
SURFACE MOUNT SILICON
DUAL N-CHANNEL
ENHANCEMENT-MODE
MOSFET
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMXDM7002A
is special dual version of the 2N7002 enhancement-
mode N-Channel MOSFET manufactured by the
N-Channel DMOS Process, and designed for high
speed pulsed amplifier and driver applications. This
special dual transistor device offers low rDS(ON) and
low VDS(ON).
MARKING CODE: X02A
SOT-26 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Continuous Source Current (Body Diode)
Maximum Pulsed Drain Current
Maximum Pulsed Source Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
SYMBOL
VDS
VDG
VGS
ID
IS
IDM
ISM
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
60
60
40
280
280
1.5
1.5
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mA
A
A
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
IGSSF, IGSSR VGS=20V, VDS=0
100
IDSS
VDS=60V, VGS=0
1.0
IDSS
ID(ON)
BVDSS
VGS(th)
VDS(ON)
VDS(ON)
VSD
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
rDS(ON)
gFS
Crss
Ciss
Coss
VDS=60V, VGS=0, TJ=125°C
VGS=10V, VDS=10V
VGS=0, ID=10μA
VDS=VGS, ID=250μA
VGS=10V, ID=500mA
VGS=5.0V, ID=50mA
VGS=0, IS=400mA
VGS=10V, ID=500mA
VGS=10V, ID=500mA, TJ=125°C
VGS=5.0V, ID=50mA
VGS=5.0V, ID=50mA, TJ=125°C
VDS=10V,
VDS=25V,
VDS=25V,
ID=200mA
VGS=0, f=1.0MHz
VGS=0, f=1.0MHz
80
5.0
50
25
500
500
60
1.0
2.5
1.0
0.15
1.2
2.0
3.5
3.0
5.0
UNITS
nA
μA
μA
mA
V
V
V
V
V
Ω
Ω
Ω
Ω
mS
pF
pF
pF
VDS=25V, VGS=0, f=1.0MHz
R3 (9-February 2015)

 
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