Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ON Semiconductor(安森美) |
零件包装代码 | SC-88 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数 | 6 |
制造商包装代码 | CASE 419B-02 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
集电极-发射极最大电压 | 40 V |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | e0 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 6 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
极性/信道类型 | NPN AND PNP |
最大功率耗散 (Abs) | 0.15 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 300 MHz |
最大关闭时间(toff) | 250 ns |
最大开启时间(吨) | 70 ns |
Base Number Matches | 1 |
MBT3946DW1T2 | MBT3946DW1T1 | |
---|---|---|
描述 | Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual | Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual |
零件包装代码 | SC-88 | SC-88 |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
针数 | 6 | 6 |
制造商包装代码 | CASE 419B-02 | 419B-02 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 0.2 A | 0.2 A |
集电极-发射极最大电压 | 40 V | 40 V |
配置 | SEPARATE, 2 ELEMENTS | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
最小直流电流增益 (hFE) | 30 | 30 |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 |
元件数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 6 | 6 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 | 240 |
极性/信道类型 | NPN AND PNP | NPN AND PNP |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 300 MHz | 300 MHz |
最大关闭时间(toff) | 250 ns | 250 ns |
最大开启时间(吨) | 70 ns | 70 ns |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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