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MBT3946DW1T2

产品描述Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小169KB,共11页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MBT3946DW1T2概述

Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual

MBT3946DW1T2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码SC-88
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
制造商包装代码CASE 419B-02
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.2 A
集电极-发射极最大电压40 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)30
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)300 MHz
最大关闭时间(toff)250 ns
最大开启时间(吨)70 ns
Base Number Matches1

MBT3946DW1T2相似产品对比

MBT3946DW1T2 MBT3946DW1T1
描述 Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V Dual
零件包装代码 SC-88 SC-88
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6 6
制造商包装代码 CASE 419B-02 419B-02
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.2 A 0.2 A
集电极-发射极最大电压 40 V 40 V
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE) 30 30
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 e0 e0
湿度敏感等级 1 1
元件数量 2 2
端子数量 6 6
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 240 240
极性/信道类型 NPN AND PNP NPN AND PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 300 MHz 300 MHz
最大关闭时间(toff) 250 ns 250 ns
最大开启时间(吨) 70 ns 70 ns
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