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TN0604N3-P013-G

产品描述MOSFET 40V 0.75Ohm
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小574KB,共5页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
标准
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TN0604N3-P013-G在线购买

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TN0604N3-P013-G概述

MOSFET 40V 0.75Ohm

TN0604N3-P013-G规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Microchip(微芯科技)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage40 V
Id - Continuous Drain Current7 A
Rds On - Drain-Source Resistance750 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
产品
Product
MOSFET Small Signal
Transistor Type1 N-Channel
类型
Type
FET
Fall Time20 ns
Rise Time6 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
2000
Typical Turn-Off Delay Time25 ns
Typical Turn-On Delay Time10 ns
单位重量
Unit Weight
0.016000 oz

TN0604N3-P013-G相似产品对比

TN0604N3-P013-G TN0604WG-G
描述 MOSFET 40V 0.75Ohm MOSFET MOSFET, N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE, 40V, 1.0
Product Attribute Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
Microchip(微芯科技) Microchip(微芯科技)
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET
技术
Technology
Si Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-92-3 TO-92-3
Number of Channels 1 Channel 4 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V 40 V
Id - Continuous Drain Current 7 A 4 A
Rds On - Drain-Source Resistance 750 mOhms 1 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V 20 V
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C - 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C + 150 C
Configuration Single Quad Triple Drain
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
1 W 1.5 W
Channel Mode Enhancement Enhancement
产品
Product
MOSFET Small Signal MOSFET Small Signal
Transistor Type 1 N-Channel 4 N-Channel
Fall Time 20 ns 6 ns
Rise Time 6 ns 6 ns
Typical Turn-Off Delay Time 25 ns 25 ns
Typical Turn-On Delay Time 10 ns 10 ns
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