Bipolar Transistors - BJT Power BJT
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 |
JEDEC-95代码 | TO-5 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Qualified |
参考标准 | MIL-19500/99 |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 1000 ns |
最大开启时间(吨) | 200 ns |
Base Number Matches | 1 |
JAN2N697S | 2N696S | |
---|---|---|
描述 | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | Bipolar Transistors - BJT Power BJT |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code | not_compliant | compliant |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 20 | 20 |
JEDEC-95代码 | TO-5 | TO-5 |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 |
最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL |
封装形状 | ROUND | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
认证状态 | Qualified | Not Qualified |
参考标准 | MIL-19500/99 | MIL-19500/99E |
表面贴装 | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE | WIRE |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
最大关闭时间(toff) | 1000 ns | 1000 ns |
最大开启时间(吨) | 200 ns | 200 ns |
Base Number Matches | 1 | 1 |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved