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JAN2N697S

产品描述Bipolar Transistors - BJT Power BJT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小52KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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JAN2N697S概述

Bipolar Transistors - BJT Power BJT

JAN2N697S规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codenot_compliant
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
JEDEC-95代码TO-5
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Qualified
参考标准MIL-19500/99
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)1000 ns
最大开启时间(吨)200 ns
Base Number Matches1

JAN2N697S相似产品对比

JAN2N697S 2N696S
描述 Bipolar Transistors - BJT Power BJT Bipolar Transistors - BJT Power BJT
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
包装说明 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code not_compliant compliant
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 20 20
JEDEC-95代码 TO-5 TO-5
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C
封装主体材料 METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/99 MIL-19500/99E
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
最大关闭时间(toff) 1000 ns 1000 ns
最大开启时间(吨) 200 ns 200 ns
Base Number Matches 1 1

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