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IRF7413QTRPBF

产品描述MOSFET AUTO HEXFET SO-8
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小233KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRF7413QTRPBF在线购买

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IRF7413QTRPBF概述

MOSFET AUTO HEXFET SO-8

IRF7413QTRPBF规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SO-8
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Id - Continuous Drain Current13 A
Rds On - Drain-Source Resistance18 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Qg - Gate Charge52 nC
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
2.5 W
高度
Height
1.75 mm
长度
Length
4.9 mm
Transistor Type1 N-Channel
宽度
Width
3.9 mm
单位重量
Unit Weight
0.019048 oz

IRF7413QTRPBF相似产品对比

IRF7413QTRPBF IRF7413QPBF
描述 MOSFET AUTO HEXFET SO-8 MOSFET AUTO HEXFET SO-8
Product Attribute Attribute Value Attribute Value
制造商
Manufacturer
Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
产品种类
Product Category
MOSFET MOSFET
技术
Technology
Si Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
SO-8 SO-8
Number of Channels 1 Channel 1 Channel
Transistor Polarity N-Channel N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V 30 V
Id - Continuous Drain Current 13 A 13 A
Rds On - Drain-Source Resistance 18 mOhms 18 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage 20 V 20 V
Qg - Gate Charge 52 nC 52 nC
Configuration Single Single
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
2.5 W 2.5 W
高度
Height
1.75 mm 1.75 mm
长度
Length
4.9 mm 4.9 mm
Transistor Type 1 N-Channel 1 N-Channel
宽度
Width
3.9 mm 3.9 mm
单位重量
Unit Weight
0.019048 oz 0.019048 oz
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