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SI3457DV-T1-E3

产品描述MOSFET 30V 4.3A 2W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小71KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI3457DV-T1-E3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SI3457DV-T1-E3概述

MOSFET 30V 4.3A 2W

SI3457DV-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (ID)4.3 A
最大漏源导通电阻0.065 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层MATTE TIN
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管元件材料SILICON
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