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CY7C1049CV33-12ZSXAT

产品描述SRAM 4Mb 12ns 3.3V 512Kx8 Fast Async SRAM
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文件大小857KB,共15页
制造商Cypress(赛普拉斯)
标准
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CY7C1049CV33-12ZSXAT概述

SRAM 4Mb 12ns 3.3V 512Kx8 Fast Async SRAM

CY7C1049CV33-12ZSXAT规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
包装说明LEAD FREE, TSOP2-44
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间12 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e4
长度18.415 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量44
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.194 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.095 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度10.16 mm

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CY7C1049CV33 Automotive
4-Mbit (512 K × 8) Static RAM
4-Mbit (512 K × 8) Static RAM
Features
Functional Description
The CY7C1049CV33 Automotive is a high performance CMOS
Static RAM organized as 524,288 words by eight bits. Easy
memory expansion is provided by an active LOW Chip Enable
(CE), an active LOW Output Enable (OE), and three-state
drivers. Writing to the device is accomplished by taking Chip
Enable (CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the
eight I/O pins (I/O
0
through I/O
7
) is then written into the location
specified on the address pins (A
0
through A
18
).
Reading from the device is accomplished by taking Chip Enable
(CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write Enable
(WE) HIGH. Under these conditions, the contents of the memory
location specified by the address pins appear on the I/O pins.
The eight input and output pins (I/O
0
through I/O
7
) are placed in
a high impedance state when the device is deselected (CE
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write
operation (CE LOW, and WE LOW).
The CY7C1049CV33 Automotive is available in standard
400-mil-wide 36-pin SOJ package and 44-pin TSOP II package
with center power and ground (revolutionary) pinout.
Temperature ranges
Automotive -A: –40 °C to 85 °C
Automotive-E: –40 °C to 125 °C
High speed
t
AA
= 10 ns
Low active power
360 mW (max)
2.0 V data retention
Automatic power down when deselected
TTL-compatible inputs and outputs
Easy memory expansion with CE and OE features
Logic Block Diagram
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
CE
WE
OE
INPUT BUFFER
ROW DECODER
IO0
IO1
SENSE AMPS
IO2
IO3
IO4
IO5
IO6
512K x 8
ARRAY
COLUMN DECODER
POWER
DOWN
IO7
A13
A14
A15
A16
A17
A18
Cypress Semiconductor Corporation
Document Number: 001-67511 Rev. *C
198 Champion Court
San Jose
,
CA 95134-1709
408-943-2600
Revised March 21, 2014

CY7C1049CV33-12ZSXAT相似产品对比

CY7C1049CV33-12ZSXAT
描述 SRAM 4Mb 12ns 3.3V 512Kx8 Fast Async SRAM
是否无铅 不含铅
是否Rohs认证 符合
厂商名称 Cypress(赛普拉斯)
包装说明 LEAD FREE, TSOP2-44
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B
最长访问时间 12 ns
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G44
JESD-609代码 e4
长度 18.415 mm
内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM
内存宽度 8
湿度敏感等级 3
功能数量 1
端子数量 44
字数 524288 words
字数代码 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 512KX8
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2
封装等效代码 TSOP44,.46,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 260
电源 3.3 V
认证状态 Not Qualified
筛选级别 AEC-Q100
座面最大高度 1.194 mm
最大待机电流 0.01 A
最小待机电流 3 V
最大压摆率 0.095 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 GULL WING
端子节距 0.8 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 20
宽度 10.16 mm

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