Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IS62WV6416BLL-55TLI

IS62WV6416BLL-55TLI: 产品描述SRAM 1Mb 64Kx16 55ns Async SRAM; 产品类别存储存储; 文件大小230KB，共17页; 制造商ISSI(芯成半导体); 官网地址http://www.issi.com/; 标准

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IS62WV6416BLL-55TLI概述

SRAM 1Mb 64Kx16 55ns Async SRAM

IS62WV6416BLL-55TLI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ISSI(芯成半导体)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	44
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991
Factory Lead Time	8 weeks
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
JESD-609代码	e3
长度	18.415 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端子数量	44
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.000005 A
最小待机电流	1.2 V
最大压摆率	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	10
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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IS62WV6416ALL

IS62WV6416BLL

64K x 16 LOW VOLTAGE,

ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES

• High-speed access time: 45ns, 55ns

• CMOS low power operation:

30 mW (typical) operating

15 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply

1.7V--2.2V V

(62WV6416ALL)

2.5V--3.6V V

(62WV6416BLL)

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• 2CS Option Available

• Lead-free available

JANUARY 2008

DESCRIPTION

The

ISSI

IS62WV6416ALL/ IS62WV6416BLL are high-

speed, 1M bit static RAMs organized as 64K words by 16

bits. It is fabricated using

ISSI

's high-performance CMOS

technology. This highly reliable process coupled with

innovative circuit design techniques, yields high-

performance and low power consumption devices.

When

CS1

is HIGH (deselected) or when CS2 is LOW

(deselected) or when

CS1

is LOW, CS2 is HIGH and both

and

are HIGH, the device assumes a standby mode

at which the power dissipation can be reduced down with

CMOS input levels.

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs. The active LOW Write Enable

(WE) controls both writing and reading of the memory. A

data byte allows Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB)

access.

The IS62WV6416ALL and IS62WV6416BLL are packaged

in the JEDEC standard 48-pin mini BGA (6mm x 8mm) and

44-Pin TSOP (TYPE II).

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A0-A15

DECODER

64K x 16

MEMORY ARRAY

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O8-I/O15

Upper Byte

I/O

DATA

CIRCUIT

COLUMN I/O

CS2

CS1

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. C

01/14/08

IS62WV6416BLL-55TLI相似产品对比

	IS62WV6416BLL-55TLI	IS62WV6416ALL-55BLI	IS62WV6416ALL-55BLI-TR	IS62WV6416BLL-55TLI-TR	IS62WV6416BLL-55BLI-TR
描述	SRAM 1Mb 64Kx16 55ns Async SRAM	SRAM 1M (64Kx16) 55ns Async SRAM	SRAM 1M (64Kx16) 55ns Async SRAM	SRAM 1Mb 64Kx16 55ns Async SRAM	SRAM 1Mb 64Kx16 55ns Async SRAM
Product Attribute	-	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	-	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)	ISSI(芯成半导体)
产品种类 Product Category	-	SRAM	SRAM	SRAM	SRAM
RoHS	-	Details	Details	Details	Details
Memory Size	-	1 Mbit	1 Mbit	1 Mbit	1 Mbit
Access Time	-	55 ns	55 ns	55 ns	55 ns
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	-	2.2 V	2.2 V	3.6 V	3.6 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	-	1.7 V	1.7 V	2.5 V	2.5 V
Supply Current - Max	-	5 mA	5 mA	5 mA	5 mA
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	-	- 40 C	- 40 C	- 40 C	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	-	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C	+ 85 C
安装风格 Mounting Style	-	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	-	BGA-48	BGA-48	TSOP-44	TFBGA-48
系列 Packaging	-	Tray	Reel	Reel	Reel
数据速率 Data Rate	-	SDR	SDR	SDR	SDR
类型 Type	-	Asynchronous	Asynchronous	Asynchronous	Asynchronous
Number of Ports	-	1	1	1	1
Moisture Sensitive	-	Yes	Yes	Yes	Yes
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	-	480	2500	1000	2500

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