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CMUT5551 BK: 产品描述Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0V 600mA 250mW; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小410KB，共3页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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CMUT5551 BK概述

Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0V 600mA 250mW

CMUT5551 BK规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Central Semiconductor
产品种类 Product Category	Bipolar Transistors - BJT
RoHS	Details
系列 Packaging	Bulk
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	10000

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CMUT5551

SURFACE MOUNT

NPN SILICON TRANSISTOR

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT5551 type

is an NPN silicon transistor manufactured by the

epitaxial planar process, epoxy molded in a surface

mount package, designed for high voltage amplifier

applications.

MARKING CODE: 55C

SOT-523 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Continuous Collector Current

Power Dissipation

Operating and Storage Junction Temperature

Thermal Resistance

SYMBOL

VCBO

VCEO

VEBO

TJ, Tstg

180

160

6.0

600

250

-65 to +150

500

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

ICBO

BVCBO

BVCEO

BVEBO

VCE(SAT)

VBE(SAT)

hFE

Cob

hfe

VCB=120V

VCB=120V, TA=100°C

IC=100μA

IC=1.0mA

IE=10μA

IC=10mA, IB=1.0mA

IC=50mA, IB=5.0mA

IC=10mA, IB=1.0mA

IC=50mA, IB=5.0mA

VCE=5.0V, IC=1.0mA

VCE=5.0V, IC=10mA

VCE=5.0V, IC=50mA

VCE=10V,

VCB=10V,

IC=10mA, f=100MHz

IE=0, f=1.0MHz

100

180

160

6.0

MAX

UNITS

μA

0.15

0.20

1.00

250

300

6.0

200

8.0

MHz

VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz

VCE=5.0V, IC=200μA, RS=10Ω,

f=10Hz to 15.7kHz

R1 (9-February 2010)

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