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SI3424DV-T1

产品描述MOSFET 30V 6.7A 2W
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小88KB,共5页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI3424DV-T1概述

MOSFET 30V 6.7A 2W

SI3424DV-T1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)5 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

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Si3424DV
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
30
R
DS(on)
(Ω)
0.028 at V
GS
= 10 V
0.038 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
6.7
5.7
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET
®
Power MOSFETs
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
TSOP-6
Top View
1
3 mm
6
(1, 2, 5, 6) D
2
5
(3) G
3
4
2.85 mm
(4) S
Ordering Information:
Si3424DV-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si3424DV-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
N-Channel MOSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
J
, T
stg
1.7
2.0
1.3
- 55 to 150
6.7
5.4
30
1.0
1.14
0.73
W
°C
5s
30
± 20
5.0
4.0
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
t
5s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJF
Typical
40
90
25
Maximum
62.5
110
30
°C/W
Unit
Document Number: 71317
S09-0766-Rev. C, 04-May-09
www.vishay.com
1
试一试新功能
1236407ae8514b390c6ae0b65cf97ca633d ...
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