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74AUP2G38GN,115

产品描述Logic Gates Low-Power dual 2-input NAND gate
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小873KB,共21页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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74AUP2G38GN,115概述

Logic Gates Low-Power dual 2-input NAND gate

74AUP2G38GN,115规格参数

参数名称属性值
Brand NameNXP Semiconductor
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
零件包装代码SON
包装说明SON, SOLCC8,.04,12
针数8
制造商包装代码SOT1116
Reach Compliance Codecompliant
系列AUP/ULP/V
JESD-30 代码R-PDSO-N8
JESD-609代码e3
长度1.2 mm
负载电容(CL)30 pF
逻辑集成电路类型NAND GATE
最大I(ol)0.0017 A
湿度敏感等级1
功能数量2
输入次数2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
输出特性OPEN-DRAIN
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SON
封装等效代码SOLCC8,.04,12
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup24 ns
传播延迟(tpd)24 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度0.35 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)0.8 V
标称供电电压 (Vsup)1.1 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Tin (Sn)
端子形式NO LEAD
端子节距0.3 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度1 mm
Base Number Matches1

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74AUP2G38
Low-power dual 2-input NAND gate; open drain
Rev. 8 — 11 February 2013
Product data sheet
1. General description
The 74AUP2G38 provides the dual 2-input NAND gate with open-drain output. The output
of the device is an open drain and can be connected to other open-drain outputs to
implement active-LOW wired-OR or active-HIGH wired-AND functions.
Schmitt trigger action at all inputs makes the circuit tolerant to slower input rise and fall
times across the entire V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire
V
CC
range from 0.8 V to 3.6 V.
This device is fully specified for partial Power-down applications using I
OFF
. The I
OFF
circuitry disables the output, preventing a damaging backflow current through the device
when it is powered down.
2. Features and benefits
Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V
High noise immunity
Complies with JEDEC standards:
JESD8-12 (0.8 V to 1.3 V)
JESD8-11 (0.9 V to 1.65 V)
JESD8-7 (1.2 V to 1.95 V)
JESD8-5 (1.8 V to 2.7 V)
JESD8-B (2.7 V to 3.6 V)
ESD protection:
HBM JESD22-A114F Class 3A exceeds 5000 V
MM JESD22-A115-A exceeds 200 V
CDM JESD22-C101E exceeds 1000 V
Low static power consumption; I
CC
= 0.9
A
(maximum)
Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD78B Class II
Inputs accept voltages up to 3.6 V
Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V
CC
I
OFF
circuitry provides partial Power-down mode operation
Multiple package options
Specified from
40 C
to +85
C
and
40 C
to +125
C

74AUP2G38GN,115相似产品对比

74AUP2G38GN,115 74AUP2G38GS,115 74AUP2G38GF,115 74AUP2G38GT,115 74AUP2G38DC,125
描述 Logic Gates Low-Power dual 2-input NAND gate Logic Gates NAND 4.6 V 20 mA Logic Gates Low-Power dual 2-input NAND gate Logic Gates 1.8V DUAL LP 2-INPT Logic Gates 1.8V DUAL LP 2-INPT
Brand Name NXP Semiconductor NXP Semiconductor NXP Semiconductor NXP Semiconductor NXP Semiconductor
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
零件包装代码 SON SON SON SON SSOP
包装说明 SON, SOLCC8,.04,12 VSON, SOLCC8,.04,14 VSON, SOLCC8,.04,14 1 X 1.95 MM, 0.50 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, MO-252, SOT-833-1, SON-8 VSSOP, TSSOP8,.12,20
针数 8 8 8 8 8
制造商包装代码 SOT1116 SOT1203 SOT1089 SOT833-1 SOT765-1
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant
系列 AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V AUP/ULP/V
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 R-PDSO-N8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e4
长度 1.2 mm 1.35 mm 1.35 mm 1.95 mm 2.3 mm
负载电容(CL) 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF 30 pF
逻辑集成电路类型 NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE NAND GATE
最大I(ol) 0.0017 A 0.0017 A 0.0017 A 0.0017 A 0.0017 A
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
功能数量 2 2 2 2 2
输入次数 2 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
输出特性 OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN OPEN-DRAIN
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SON VSON VSON VSON VSSOP
封装等效代码 SOLCC8,.04,12 SOLCC8,.04,14 SOLCC8,.04,14 SOLCC8,.04,20 TSSOP8,.12,20
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法 TAPE AND REEL TAPE AND REEL TAPE AND REEL TAPE AND REEL TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 260 260
电源 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V 1.2/3.3 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 24 ns 24 ns 24 ns 24 ns 24 ns
传播延迟(tpd) 24 ns 24 ns 24 ns 24 ns 24 ns
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
施密特触发器 NO NO NO NO NO
座面最大高度 0.35 mm 0.35 mm 0.5 mm 0.5 mm 1 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V 0.8 V
标称供电电压 (Vsup) 1.1 V 1.1 V 1.1 V 1.2 V 1.2 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Tin (Sn) Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD GULL WING
端子节距 0.3 mm 0.35 mm 0.35 mm 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 30
宽度 1 mm 1 mm 1 mm 1 mm 2 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1
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