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IHW30N100T

产品描述IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1000V 30A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小310KB,共12页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IHW30N100T概述

IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1000V 30A

IHW30N100T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-247AD
包装说明GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)30 A
集电极-发射极最大电压1000 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间(tf)130 ns
门极发射器阈值电压最大值6.4 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)412 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)702 ns
标称接通时间 (ton)90 ns

IHW30N100T相似产品对比

IHW30N100T IHW30N100TFKSA1
描述 IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1000V 30A IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1000V 30A
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 TO-247AD TO-247AD
包装说明 GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 30 A 30 A
集电极-发射极最大电压 1000 V 1000 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码 TO-247AD TO-247AD
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSFM-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 702 ns 702 ns
标称接通时间 (ton) 90 ns 90 ns

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