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BG3130H6327XTSA1

产品描述RF MOSFET Transistors RF MOSFETS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小84KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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BG3130H6327XTSA1在线购买

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BG3130H6327XTSA1概述

RF MOSFET Transistors RF MOSFETS

BG3130H6327XTSA1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明ROHS COMPLIANT, SOT-363, 6 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
其他特性LOW NOISE
最小漏源击穿电压12 V
最大漏极电流 (ID)0.025 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
工作模式DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

BG3130H6327XTSA1相似产品对比

BG3130H6327XTSA1 BG 3130 H6327 BG 3130R E6327
描述 RF MOSFET Transistors RF MOSFETS RF MOSFET Transistors RF MOSFETS 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode
厂商名称 Infineon(英飞凌) - Infineon(英飞凌)
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