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IKD04N60RATMA1

产品描述IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小2MB,共17页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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IKD04N60RATMA1概述

IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A

IKD04N60RATMA1规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-252
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time20 weeks
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)8 A
集电极-发射极最大电压600 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值5.7 V
门极-发射极最大电压20 V
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)75 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)342 ns
标称接通时间 (ton)20 ns
Base Number Matches1

 
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