Counter Shift Registers 8-Stage Shift Regist
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | PLASTIC, DIP-16 |
| 针数 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | OUTPUTS ALSO AVAILABLE AT 6TH AND 7TH STAGE OF THE SHIFT REGISTER |
| 计数方向 | RIGHT |
| 系列 | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 负载电容（CL） | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | PARALLEL IN SERIAL OUT |
| 位数 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 输出极性 | TRUE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3/15 V |
| 传播延迟（tpd） | 320 ns |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.1 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 20 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 触发器类型 | POSITIVE EDGE |
| 宽度 | 7.62 mm |
| 最小 fmax | 8.5 MHz |
| Base Number Matches | 1 |
| HCF4014BEY | HCF4014BM1 | |
|---|---|---|
| 描述 | Counter Shift Registers 8-Stage Shift Regist | Counter Shift Registers 8-Stage Shift Regist |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC |
| 包装说明 | PLASTIC, DIP-16 | SOP, SOP16,.25 |
| 针数 | 16 | 16 |
| Reach Compliance Code | unknown | compliant |
| 其他特性 | OUTPUTS ALSO AVAILABLE AT 6TH AND 7TH STAGE OF THE SHIFT REGISTER | OUTPUTS ALSO AVAILABLE AT 6TH AND 7TH STAGE OF THE SHIFT REGISTER |
| 计数方向 | RIGHT | RIGHT |
| 系列 | 4000/14000/40000 | 4000/14000/40000 |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T16 | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 负载电容（CL） | 50 pF | 50 pF |
| 逻辑集成电路类型 | PARALLEL IN SERIAL OUT | PARALLEL IN SERIAL OUT |
| 位数 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 16 | 16 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 输出极性 | TRUE | TRUE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP |
| 封装等效代码 | DIP16,.3 | SOP16,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | 260 |
| 电源 | 3/15 V | 3/15 V |
| 传播延迟（tpd） | 320 ns | 320 ns |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.1 mm | 1.75 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 20 V | 20 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | 30 |
| 触发器类型 | POSITIVE EDGE | POSITIVE EDGE |
| 宽度 | 7.62 mm | 3.9 mm |
| 最小 fmax | 8.5 MHz | 8.5 MHz |
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