1024】8 bit electrically erasable PROM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, SOP-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010DMMR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e2 |
| 长度 | 5 mm |
| 内存密度 | 8192 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 1KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 2/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.78 mm |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000002 A |
| 最大压摆率 | 0.002 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Copper (Sn/Cu) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
| 写保护 | HARDWARE |
| BR24L08F-W | BR24L08-W_07 | BR24L08FJ-W | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 1024】8 bit electrically erasable PROM | 1024】8 bit electrically erasable PROM | 1024】8 bit electrically erasable PROM |
| 是否无铅 | 不含铅 | - | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
| 厂商名称 | ROHM(罗姆半导体) | - | ROHM(罗姆半导体) |
| 零件包装代码 | SOIC | - | SOIC |
| 包装说明 | ROHS COMPLIANT, SOP-8 | - | ROHS COMPLIANT, SOP-8 |
| 针数 | 8 | - | 8 |
| Reach Compliance Code | compli | - | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 0.4 MHz | - | 0.4 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 40 | - | 40 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | - | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010DMMR | - | 1010DMMR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | - | R-PDSO-J8 |
| JESD-609代码 | e2 | - | e2 |
| 长度 | 5 mm | - | 4.9 mm |
| 内存密度 | 8192 bi | - | 8192 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | - | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | - | 8 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 8 | - | 8 |
| 字数 | 1024 words | - | 1024 words |
| 字数代码 | 1000 | - | 1000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C |
| 组织 | 1KX8 | - | 1KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | - | SOJ |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | - | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL | - | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | - | 260 |
| 电源 | 2/5 V | - | 2/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.78 mm | - | 1.775 mm |
| 串行总线类型 | I2C | - | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000002 A | - | 0.000002 A |
| 最大压摆率 | 0.002 mA | - | 0.002 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | - | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | - | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Copper (Sn/Cu) | - | Tin/Copper (Sn/Cu) |
| 端子形式 | GULL WING | - | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | - | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | - | 10 |
| 宽度 | 4.4 mm | - | 3.9 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | - | 5 ms |
| 写保护 | HARDWARE | - | HARDWARE |
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