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BR24L02F-W: 产品描述256】8 bit electrically erasable PROM; 产品类别存储存储; 文件大小390KB，共26页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/; 标准

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BR24L02F-W概述

256】8 bit electrically erasable PROM

BR24L02F-W规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP8,.25
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDDR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e2
长度	5 mm
内存密度	2048 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	256 words
字数代码	256
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	256X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.78 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	0.000002 A
最大压摆率	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	4.4 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms
写保护	HARDWARE

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Memory ICs

BR24L02-W / BR24L02F-W / BR24L02FJ-W /

BR24L02FV-W / BR24L02FVM-W

256×8 bit electrically erasable PROM

BR24L02-W / BR24L02F-W / BR24L02FJ-W

BR24L02FV-W / BR24L02FVM-W

The BR24L02-W series is 2-wire (I

C BUS type) serial EEPROMs which are electrically programmable.

∗

C BUS is a registered trademark of Philips.

Applications

General purpose

Features

1) 256 registers

8 bits serial architecture.

2) Single power supply (1.8V to 5.5V).

3) Two wire serial interface.

4) Self-timed write cycle with automatic erase.

5) 8 byte page write mode.

6) Low power consumption.

Write (5V) : 1.2mA (Typ.)

Read (5V) : 0.2mA (Typ.)

Standby (5V) : 0.1µA (Typ.)

7) DATA security

Write protect feature (WP pin) .

Inhibit to WRITE at low V

8) Small package - - - DIP8 / SOP8 / SOP-J8 / SSOP-B8 / MSOP-8

9) High reliability EEPROM with Double-Cell structure

10) High reliability fine pattern CMOS technology.

11) Endurance : 1,000,000 erase / write cycles

12) Data retention : 40 years

13) Filtered inputs in SCL

•

SDA for noise suppression.

14) Initial data FFh in all address.

Absolute maximum ratings

(Ta=25°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

Limits

−0.3

+6.5

800 (DIP8)

450 (SOP8)

Power dissipation

450 (SOP-J8)

∗1

∗2

∗3

Unit

300 (SSOP-B8)

∗4

310 (MSOP8)

Storage temperature

Operating temperature

Terminal voltage

∗1

∗2,

∗4

∗5

Tstg

Topr

−

−65

+125

−40

+85

−0.3

to V

+0.3

°C

Degradation is done at 8.0mW/°C for operation above 25°C.

Degradation is done at 4.5mW/°C for operation above 25°C.

Degradation is done at 3.0mW/°C for operation above 25°C.

Degradation is done at 3.1mW/°C for operation above 25°C.

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BR24L02F-W相似产品对比

	BR24L02F-W	BR24L02FJ-W	BR24L02FV-W
描述	256】8 bit electrically erasable PROM	256】8 bit electrically erasable PROM	256】8 bit electrically erasable PROM
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码	SOIC	SOIC	SOIC
包装说明	SOP, SOP8,.25	SOJ, SOP8,.25	LSSOP, TSSOP8,.25
针数	8	8	8
Reach Compliance Code	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	0.4 MHz	0.4 MHz	0.4 MHz
数据保留时间-最小值	40	40	40
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDDR	1010DDDR	1010DDDR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	R-PDSO-J8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e2	e2	e2
长度	5 mm	4.9 mm	4.4 mm
内存密度	2048 bi	2048 bi	2048 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8
功能数量	1	1	1
端子数量	8	8	8
字数	256 words	256 words	256 words
字数代码	256	256	256
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	256X8	256X8	256X8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOJ	LSSOP
封装等效代码	SOP8,.25	SOP8,.25	TSSOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	260	NOT SPECIFIED
电源	2/5 V	2/5 V	2/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.78 mm	1.775 mm	1.5 mm
串行总线类型	I2C	I2C	I2C
最大待机电流	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A
最大压摆率	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式	GULL WING	J BEND	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	4.4 mm	3.9 mm	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms	5 ms
写保护	HARDWARE	HARDWARE	HARDWARE

BR24L02F-W

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