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STAC2933

产品描述RF MOSFET Transistors 300W 20dB 30MHz STAC N-Ch MOS RF 150MHz
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小249KB,共12页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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STAC2933概述

RF MOSFET Transistors 300W 20dB 30MHz STAC N-Ch MOS RF 150MHz

STAC2933规格参数

参数名称属性值
Brand NameSTMicroelectronics
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)40 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高工作温度200 °C
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)795 W
表面贴装YES
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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STAC2933
RF power transistor:
HF/VHF/UHF N-channel MOSFETs
Preliminary data
Features
Gold metallization
Excellent thermal stability
Common source configuration
P
OUT
= 300 W min. with 20 dB gain @ 30 MHz
STAC air cavity packaging technology -
STAC
®
package
Description
The STAC2933 is a gold metallized N-channel
MOS field-effect RF power transistor, intended for
use in 50 V dc large signal applications up 150
MHz. Its special low thermal-resistance package
makes it ideal for ISM applications where
reliability and ruggedness are critical factors.
STAC177B
Figure 1.
Pin connection
1 (drain)
4 (source)
2 (source)
3
(gate)
5 (source) on
backside
Table 1.
Device summary
Marking
STAC2933
(1)
Base qty.
25 pcs
Package
STAC177B
Packaging
(1)
Plastic tray
Order code
STAC2933
1. For more details please refer to
Chapter 6: Marking, packing and shipping specifications..
January 2012
Doc ID 022676 Rev 1
1/12
www.st.com
12
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to
change without notice.

 
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