Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, CPGA84, 1.120 X 1.12 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, CERAMIC, PGA-84
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
零件包装代码 | PGA |
包装说明 | PGA, PGA84M,11X11 |
针数 | 84 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
最长访问时间 | 35 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | S-CPGA-P84 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | DUAL-PORT SRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 2 |
端子数量 | 84 |
字数 | 16384 words |
字数代码 | 16000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 16KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | PGA |
封装等效代码 | PGA84M,11X11 |
封装形状 | SQUARE |
封装形式 | GRID ARRAY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.03 A |
最小待机电流 | 4.5 V |
最大压摆率 | 0.335 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | PERPENDICULAR |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
Base Number Matches | 1 |
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