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IRF4104PBF

产品描述75 A, 40 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小324KB,共13页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
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IRF4104PBF在线购买

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IRF4104PBF概述

75 A, 40 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

75 A, 40 V, 0.0055 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB

IRF4104PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-220AB
包装说明LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)220 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)75 A
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.0055 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)250
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)470 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRF4104PBF相似产品对比

IRF4104PBF IRF4104LPBF IRF4104SPBF
描述 75 A, 40 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB 75 A, 40 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB 75 A, 40 V, 0.0055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon ) International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码 TO-220AB TO-262AA D2PAK
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
针数 3 3 3
Reach Compliance Code unknow _compli not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 220 mJ 220 mJ 220 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 40 V 40 V 40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 75 A 120 A 120 A
最大漏极电流 (ID) 75 A 75 A 75 A
最大漏源导通电阻 0.0055 Ω 0.0055 Ω 0.0055 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-220AB TO-262AA TO-263AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSIP-T3 R-PSSO-G2
JESD-609代码 e3 e3 e3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT IN-LINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 250 260 260
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 140 W 140 W 140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 470 A 470 A 470 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrie Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1 1
是否无铅 不含铅 - 不含铅
Is Samacsys N N -
湿度敏感等级 - 1 1
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