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MRF6S19140HR3

产品描述RF MOSFET Transistors HV6 28V 29W LDMOS NI880H
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小401KB,共11页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
标准
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MRF6S19140HR3在线购买

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MRF6S19140HR3概述

RF MOSFET Transistors HV6 28V 29W LDMOS NI880H

MRF6S19140HR3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
制造商包装代码CASE 465B-03
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压68 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带L BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)530 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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