IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | TO-251 |
| 包装说明 | GREEN, PLASTIC, IPAK-3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 其他特性 | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接 | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 600 V |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值 | 5.7 V |
| 门极-发射极最大电压 | 20 V |
| JEDEC-95代码 | TO-251 |
| JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 75 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称断开时间 (toff) | 342 ns |
| 标称接通时间 (ton) | 20 ns |
| Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
