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SIHU6N62E-GE3

产品描述MOSFET 620V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小183KB,共8页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SIHU6N62E-GE3概述

MOSFET 620V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)

SIHU6N62E-GE3规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Vishay(威世)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
TO-251-3
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage620 V
Id - Continuous Drain Current6 A
Rds On - Drain-Source Resistance900 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage4 V
Vgs - Gate-Source Voltage30 V
Qg - Gate Charge17 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
78 W
Channel ModeEnhancement
系列
Packaging
Bulk
高度
Height
6.22 mm
长度
Length
6.73 mm
宽度
Width
2.39 mm
Fall Time16 ns
Rise Time10 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
Typical Turn-Off Delay Time22 ns
Typical Turn-On Delay Time12 ns
单位重量
Unit Weight
0.011640 oz
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