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FR253

产品描述2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小102KB,共2页
制造商DAESAN
官网地址http://www.diodelink.com
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FR253概述

2.5 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

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FR251 THRU FR257
Features
· Fast switching
· Low leakage
· Low forward voltage drop
· High current capability
· High current surge
· High reliability
CURRENT 2.5 Amperes
VOLTAGE 50 to 1000 Volts
DO-201AD
0.210(5.3)
0.188(4.8)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
0.375(9.5)
0.285(7.2)
Mechanical Data
· Case : JEDEC DO-201AD molded plastic body
· Terminals : Plated axial lead solderable per MIL-STD-750,
method 2026
· Polarity : Color band denotes cathode end
· Mounting Position : Any
· Weight : 0.041 ounce, 1.18 gram
0.042(1.1)
0.037(0.9)
DIA.
1.0(25.4)
MIN.
Dimensions in inches and (millimeters)
Maximum Ratings And Electrical Characteristics
(Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified, Single phase, half wave 60Hz, resistive or inductive
load. For capacitive load, derate by 20%)
Symbols
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
0.375"(9.5mm) lead length T
A
=75℃
Peak forward surge current 8.3ms single
half sine-wave superimposed on rated load
(JEDEC) method
Maximum instantaneous forward voltage
at 2.5A
Maximum DC reverse current at rated DC
blocking voltage
Maximum full load reverse current full cycle
average. 0.375"(9.5mm) lead length at
T
L
=55℃
Maximum reverse recovery time (Note 1)
Typical junction capacitance (Note 2)
Operating junction and storage
temperature range
I
R
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
(AV)
FR
251
50
35
50
FR
252
100
70
100
FR
253
200
140
200
FR
254
400
280
400
2.5
FR
255
600
420
600
FR
256
800
560
800
FR
257
1000
700
1000
Units
Volts
Volts
Volts
Amps
I
FSM
150
1.3
5.0
Amps
Volts
V
F
μA
100
Trr
C
J
T
J
T
STG
150
60
-65 to +150
250
500
ns
pF
Notes:
(1) Test conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
rr
=0.25A.
(2) Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.

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